Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IXFK32N100P
Product Overview
Nhà sản xuất:
IXYS
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IXFK32N100P-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
Mô tả chi tiết:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Hàng tồn kho:
12822242
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IXFK32N100P Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
Tube
Loạt
HiPerFET™, Polar
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
1000 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
32A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
320mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
6.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
14200 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
960W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-264AA (IXFK)
Gói / Trường hợp
TO-264-3, TO-264AA
Số sản phẩm cơ sở
IXFK32
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
25
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXTA1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
IXFK90N20Q
MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA
IXTC200N10T
MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220