Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IXFP6N120P
Product Overview
Nhà sản xuất:
IXYS
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IXFP6N120P-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hàng tồn kho:
171 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12819695
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IXFP6N120P Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
Tube
Loạt
HiPerFET™, Polar
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
1200 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
6A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2830 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
250W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
IXFP6N120
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
-IXFP6N120P
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXTQ44N30T
MOSFET N-CH 300V 44A TO3P
IXTQ32N65X
MOSFET N-CH 650V 32A TO3P
IXFN520N075T2
MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B
