Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IXFT32N100XHV
Product Overview
Nhà sản xuất:
IXYS
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IXFT32N100XHV-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV
Mô tả chi tiết:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Hàng tồn kho:
44 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12821190
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IXFT32N100XHV Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
Tube
Loạt
HiPerFET™, Ultra X
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
1000 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
32A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
220mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
6V @ 4mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
4075 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
890W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-268HV (IXFT)
Gói / Trường hợp
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Số sản phẩm cơ sở
IXFT32
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
30
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
3 (168 Hours)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXTH260N055T2
MOSFET N-CH 55V 260A TO247
IXFH50N85X
MOSFET N-CH 850V 50A TO247
IXTV130N15T
MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220
