Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IXFX200N10P
Product Overview
Nhà sản xuất:
IXYS
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IXFX200N10P-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 830W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Hàng tồn kho:
12821918
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IXFX200N10P Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
Tube
Loạt
HiPerFET™, Polar
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
200A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 8mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
7600 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
830W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
PLUS247™-3
Gói / Trường hợp
TO-247-3 Variant
Số sản phẩm cơ sở
IXFX200
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
30
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IRFP4310ZPBF
NHÀ SẢN XUẤT
Infineon Technologies
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
1902
DiGi SỐ PHẦN
IRFP4310ZPBF-DG
ĐƠN GIÁ
2.10
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXFB82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
IXFK30N50Q
MOSFET N-CH 500V 30A TO264AA
IXTH140P05T
MOSFET P-CH 50V 140A TO247