Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IXTA4N60P
Product Overview
Nhà sản xuất:
IXYS
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IXTA4N60P-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 4A TO263
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Hàng tồn kho:
12820769
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IXTA4N60P Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
-
Loạt
PolarHV™
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 100µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
635 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
89W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-263AA
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
IXTA4
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IXTA4N65X2
NHÀ SẢN XUẤT
IXYS
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
35
DiGi SỐ PHẦN
IXTA4N65X2-DG
ĐƠN GIÁ
1.18
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
STD4N62K3
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
5433
DiGi SỐ PHẦN
STD4N62K3-DG
ĐƠN GIÁ
0.73
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
IRFBC30ASTRLPBF
NHÀ SẢN XUẤT
Vishay Siliconix
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
579
DiGi SỐ PHẦN
IRFBC30ASTRLPBF-DG
ĐƠN GIÁ
1.26
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXFR16N120P
MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247
IXFP90N20X3M
MOSFET N-CH 200V 90A TO220
IXTT02N450HV
MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
