IXTH16N50D2
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

IXTH16N50D2

Product Overview

Nhà sản xuất:

IXYS

DiGi Electronics Số hiệu phần:

IXTH16N50D2-DG

Mô tả:

MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 695W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Hàng tồn kho:

291 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12916206
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

IXTH16N50D2 Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
Tube
Loạt
Depletion
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
500 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
16A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
0V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
240mOhm @ 8A, 0V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
-
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
199 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
5250 pF @ 25 V
Tính năng FET
Depletion Mode
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
695W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-247 (IXTH)
Gói / Trường hợp
TO-247-3
Số sản phẩm cơ sở
IXTH16

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
30

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
vishay-siliconix

SI7415DN-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SUD50N02-06P-E3

MOSFET N-CH 20V 50A TO252

vishay-siliconix

SQD23N06-31L_GE3

MOSFET N-CH 60V 23A TO252

vishay-siliconix

SUM50010E-GE3

MOSFET N-CH 60V 150A TO263