Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IXTH48N65X2
Product Overview
Nhà sản xuất:
IXYS
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IXTH48N65X2-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Mô tả chi tiết:
N-Channel 650 V 48A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Hàng tồn kho:
272 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12820085
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IXTH48N65X2 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
Tube
Loạt
Ultra X2
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
650 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
48A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
68mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 4mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
4420 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
660W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-247 (IXTH)
Gói / Trường hợp
TO-247-3
Số sản phẩm cơ sở
IXTH48
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
30
Tên khác
632407
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXFX120N25
MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
IXFN132N50P3
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
IXTA4N150HV
MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
