Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IXTP08N100P
Product Overview
Nhà sản xuất:
IXYS
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IXTP08N100P-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hàng tồn kho:
285 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12819505
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IXTP08N100P Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
Tube
Loạt
Polar
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
1000 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
800mA (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
240 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
42W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
IXTP08
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXFT20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A TO268
IXFA7N80P
MOSFET N-CH 800V 7A TO263
IXTA05N100HV
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
