Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IXTP6N100D2
Product Overview
Nhà sản xuất:
IXYS
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IXTP6N100D2-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hàng tồn kho:
395 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12821437
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IXTP6N100D2 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
Tube
Loạt
Depletion
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
1000 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
6A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
-
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
-
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
95 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2650 pF @ 25 V
Tính năng FET
Depletion Mode
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
300W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
IXTP6
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXTQ60N30T
MOSFET N-CH 300V 60A TO3P
IXTH02N450HV
MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
IXFA20N85XHV
MOSFET N-CH 850V 20A TO263