Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IXTQ82N25P
Product Overview
Nhà sản xuất:
IXYS
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IXTQ82N25P-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 250V 82A TO3P
Mô tả chi tiết:
N-Channel 250 V 82A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Hàng tồn kho:
5 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12821577
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IXTQ82N25P Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
Tube
Loạt
Polar
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
250 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
82A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
35mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
142 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
500W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-3P
Gói / Trường hợp
TO-3P-3, SC-65-3
Số sản phẩm cơ sở
IXTQ82
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
30
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
STW52NK25Z
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
444
DiGi SỐ PHẦN
STW52NK25Z-DG
ĐƠN GIÁ
3.37
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
FDA69N25
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
800
DiGi SỐ PHẦN
FDA69N25-DG
ĐƠN GIÁ
2.23
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
IRFP4768PBF
NHÀ SẢN XUẤT
Infineon Technologies
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
2632
DiGi SỐ PHẦN
IRFP4768PBF-DG
ĐƠN GIÁ
3.59
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXTA200N085T
MOSFET N-CH 85V 200A TO263
IXTK400N15X4
MOSFET N-CH 150V 400A TO264
IXTY5N50P
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252
