Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IXTY2N65X2
Product Overview
Nhà sản xuất:
IXYS
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IXTY2N65X2-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 650V 2A TO252
Mô tả chi tiết:
N-Channel 650 V 2A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Hàng tồn kho:
12907800
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IXTY2N65X2 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
Tube
Loạt
Ultra X2
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
650 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
2A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
2.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
180 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
55W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-252AA
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
IXTY2
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
70
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IPD80R2K0P7ATMA1
NHÀ SẢN XUẤT
Infineon Technologies
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
67
DiGi SỐ PHẦN
IPD80R2K0P7ATMA1-DG
ĐƠN GIÁ
0.32
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
STD4N62K3
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
5433
DiGi SỐ PHẦN
STD4N62K3-DG
ĐƠN GIÁ
0.73
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
FDD5N60NZTM
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
45384
DiGi SỐ PHẦN
FDD5N60NZTM-DG
ĐƠN GIÁ
0.40
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IRF820ALPBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
IXTP44N30T
MOSFET N-CH 300V 44A TO220AB
IRFR9120TRR
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
