Số sản phẩm của nhà sản xuất:
MMIX1F180N25T
Product Overview
Nhà sản xuất:
IXYS
DiGi Electronics Số hiệu phần:
MMIX1F180N25T-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
Mô tả chi tiết:
N-Channel 250 V 132A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Hàng tồn kho:
20 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12822065
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
MMIX1F180N25T Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
Tube
Loạt
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
250 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
132A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
13mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 8mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
364 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
23800 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
570W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
24-SMPD
Gói / Trường hợp
24-PowerSMD, 21 Leads
Số sản phẩm cơ sở
MMIX1F180
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
20
Tên khác
-MMIX1F180N25T
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXTQ180N055T
MOSFET N-CH 55V 180A TO3P
IXTQ96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO3P
IXTQ88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
