Số sản phẩm của nhà sản xuất:
APT11N80BC3G
Product Overview
Nhà sản xuất:
Microchip Technology
DiGi Electronics Số hiệu phần:
APT11N80BC3G-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247
Mô tả chi tiết:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Hàng tồn kho:
90 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
13261199
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
APT11N80BC3G Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Microchip Technology
Đóng gói
Tube
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
800 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
11A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3.9V @ 680µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1585 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
156W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-247 [B]
Gói / Trường hợp
TO-247-3
Số sản phẩm cơ sở
APT11N80
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
30
Tên khác
APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
APT41F100J
MOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP
APT32M80J
MOSFET N-CH 800V 33A ISOTOP
APTM100DAM90G
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
