Số sản phẩm của nhà sản xuất:
BUK765R0-100E,118
Product Overview
Nhà sản xuất:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Số hiệu phần:
BUK765R0-100E,118-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D2PAK
Hàng tồn kho:
15619 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12828648
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
BUK765R0-100E,118 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Nexperia
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
TrenchMOS™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
120A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
11810 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
357W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
D2PAK
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
BUK765
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
800
Tên khác
NEXBUK765R0-100E118
568-9567-6-DG
2156-BUK765R0-100E,118-NEX
1727-7135-2
568-9567-2-DG
1727-7135-1
568-9567-1-DG
1727-7135-6
568-9567-1
5202-BUK765R0-100E,118TR
568-9567-6
934066494118
568-9567-2
BUK765R0100E118
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
BUK9612-55B,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
BUK7Y98-80EX
MOSFET N-CH 80V 12.3A LFPAK56
PMN27XPEAX
MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
