Số sản phẩm của nhà sản xuất:
PDTD114ETR
Product Overview
Nhà sản xuất:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Số hiệu phần:
PDTD114ETR-DG
Mô tả:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 225 MHz 320 mW Surface Mount TO-236AB
Hàng tồn kho:
3000 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12918569
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
JelW
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
PDTD114ETR Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Định Sẵn Đơn
Nhà sản xuất
Nexperia
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN - Pre-Biased
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
500 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50 V
Điện trở - Đế (R1)
10 kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
10 kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
70 @ 50mA, 5V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
500nA
Tần số - Chuyển đổi
225 MHz
Công suất - Tối đa
320 mW
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q100
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-236AB
Số sản phẩm cơ sở
PDTD114
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
1727-7552-2
1727-7552-1
1727-7552-6
934031040215
5202-PDTD114ETR
PDTD114ETR-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
PDTA144EU,115
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
PDTC144ETVL
TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
PDTA144VT,215
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB