Số sản phẩm của nhà sản xuất:
PMV45EN2R
Product Overview
Nhà sản xuất:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Số hiệu phần:
PMV45EN2R-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 4.1A (Ta) 510mW (Ta), 5W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Hàng tồn kho:
62436 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12828078
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
PMV45EN2R Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Nexperia
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4.1A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
42mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
209 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
510mW (Ta), 5W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-236AB
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
PMV45EN2
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
568-12593-2
568-12593-1
568-12593-2-DG
1727-2307-2
568-12593-1-DG
568-12593-6-DG
1727-2307-1
1727-2307-6
5202-PMV45EN2RTR
568-12593-6
934068494215
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
PMV50ENEAR
MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB
BUK3F00-50WDFE,518
IC 9675 AUTO 64QFP
PSMN1R5-25YL,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
