PMV45EN2R
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

PMV45EN2R

Product Overview

Nhà sản xuất:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Số hiệu phần:

PMV45EN2R-DG

Mô tả:

MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 4.1A (Ta) 510mW (Ta), 5W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Hàng tồn kho:

62436 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12828078
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

PMV45EN2R Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Nexperia
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4.1A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
42mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
209 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
510mW (Ta), 5W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-236AB
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
PMV45EN2

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
568-12593-2
568-12593-1
568-12593-2-DG
1727-2307-2
568-12593-1-DG
568-12593-6-DG
1727-2307-1
1727-2307-6
5202-PMV45EN2RTR
568-12593-6
934068494215

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
nexperia

PMV50ENEAR

MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB

nexperia

BUK3F00-50WDFE,518

IC 9675 AUTO 64QFP

nexperia

PSMN1R5-25YL,115

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

nexperia

PMPB85ENEAX

MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6