Số sản phẩm của nhà sản xuất:
PSMN1R4-40YLDX
Product Overview
Nhà sản xuất:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Số hiệu phần:
PSMN1R4-40YLDX-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Mô tả chi tiết:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 238W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Hàng tồn kho:
6604 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12831457
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
PSMN1R4-40YLDX Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Nexperia
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
40 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
100A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.2V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
6661 pF @ 20 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
238W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
LFPAK56, Power-SO8
Gói / Trường hợp
SC-100, SOT-669
Số sản phẩm cơ sở
PSMN1R4
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,500
Tên khác
1727-1857-1
NEXNEXPSMN1R4-40YLDX
568-11553-1-DG
568-11553-2-DG
568-11553-6
568-11553-2
568-11553-6-DG
5202-PSMN1R4-40YLDXTR
568-11553-1
934068724115
2156-PSMN1R4-40YLDX-NEX
1727-1857-6
1727-1857-2
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
PSMN3R0-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
BUK6D230-80EX
MOSFET N-CH 80V 1.9A/5.1A 6DFN
BUK764R4-60E,118
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK