Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2PB709BRL,215
Product Overview
Nhà sản xuất:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2PB709BRL,215-DG
Mô tả:
NEXPERIA 2PB709 - SMALL SIGNAL B
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 200 mA 200MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Hàng tồn kho:
184683 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12996622
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2PB709BRL,215 Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
NXP Semiconductors
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
PNP
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
200 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
10nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
210 @ 2mA, 10V
Công suất - Tối đa
250 mW
Tần số - Chuyển đổi
200MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-236AB
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
11,357
Tên khác
2156-2PB709BRL,215-954
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
2PD2150,115
NEXPERIA 2PD2150 - POWER BIPOLAR
PBSS5230QAZ
NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A
2SD1830
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
