PBSS5112PAP,115
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

PBSS5112PAP,115

Product Overview

Nhà sản xuất:

NXP Semiconductors

DiGi Electronics Số hiệu phần:

PBSS5112PAP,115-DG

Mô tả:

NEXPERIA PBSS5112PAP - SMALL SIG
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP 120V 1A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)

Hàng tồn kho:

34680 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12967784
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

PBSS5112PAP,115 Thông số kỹ thuật

Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch r transistor hai cực
Nhà sản xuất
NXP Semiconductors
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 PNP
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
1A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
120V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
480mV @ 100mA, 1A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
190 @ 100mA, 2V
Công suất - Tối đa
510mW
Tần số - Chuyển đổi
100MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
6-UDFN Exposed Pad
Gói thiết bị nhà cung cấp
6-HUSON (2x2)

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
1,888
Tên khác
2156-PBSS5112PAP,115-954

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
harris-corporation

CA3096CM96

3 NPN, 2 PNP TRANSISTOR ARRAY

onsemi

EMT2DXV6T5G

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

harris-corporation

CA3083M

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN

intersil

CA3083R4339

GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN