Số sản phẩm của nhà sản xuất:
PBSS5112PAP,115
Product Overview
Nhà sản xuất:
NXP Semiconductors
DiGi Electronics Số hiệu phần:
PBSS5112PAP,115-DG
Mô tả:
NEXPERIA PBSS5112PAP - SMALL SIG
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP 120V 1A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
Hàng tồn kho:
34680 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12967784
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
PBSS5112PAP,115 Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Mạch r transistor hai cực
Nhà sản xuất
NXP Semiconductors
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
2 PNP
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
1A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
120V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
480mV @ 100mA, 1A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
190 @ 100mA, 2V
Công suất - Tối đa
510mW
Tần số - Chuyển đổi
100MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
6-UDFN Exposed Pad
Gói thiết bị nhà cung cấp
6-HUSON (2x2)
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,888
Tên khác
2156-PBSS5112PAP,115-954
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
CA3096CM96
3 NPN, 2 PNP TRANSISTOR ARRAY
EMT2DXV6T5G
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
CA3083M
GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT NPN
