Số sản phẩm của nhà sản xuất:
PDTC123ET,215
Product Overview
Nhà sản xuất:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Số hiệu phần:
PDTC123ET,215-DG
Mô tả:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Mô tả chi tiết:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SOT-23
Hàng tồn kho:
20221 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12947681
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
PDTC123ET,215 Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Định Sẵn Đơn
Nhà sản xuất
NXP Semiconductors
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN - Pre-Biased
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
50 V
Điện trở - Đế (R1)
2.2 kOhms
Điện trở - Đế phát (R2)
2.2 kOhms
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 5V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
1µA
Công suất - Tối đa
250 mW
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-23
Số sản phẩm cơ sở
PDTC123
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
15,000
Tên khác
NEXNXPPDTC123ET,215
2156-PDTC123ET,215
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
PDTA114TM315
TRANS PREBIAS
PDTA124EMB,315
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
DTC143ZCA-HF
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3