Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2N5551BU
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2N5551BU-DG
Mô tả:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Hàng tồn kho:
404529 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12835416
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2N5551BU Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
600 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
160 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
50nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Công suất - Tối đa
625 mW
Tần số - Chuyển đổi
100MHz
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-92-3
Số sản phẩm cơ sở
2N5551
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
10,000
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
