Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SA1208T
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SA1208T-DG
Mô tả:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 70 mA 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Hàng tồn kho:
13699 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12933851
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SA1208T Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
PNP
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
70 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
160 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
400mV @ 3mA, 30mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
200 @ 10mA, 5V
Công suất - Tối đa
900 mW
Tần số - Chuyển đổi
150MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Lớp
-
Trình độ chuyên môn
-
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gói thiết bị nhà cung cấp
3-MP
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,268
Tên khác
2156-2SA1208T
ONSSNY2SA1208T
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
BC817-40/6215
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2SA1352E
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
BC808-40
BJT SOT23 25V PNP 0.31W 150C