Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SB927T-AE
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SB927T-AE-DG
Mô tả:
2SB927 - PNP EPITAXIAL PLANAR SI
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 2.5 A 150MHz 1 W Through Hole 3-MP
Hàng tồn kho:
8000 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12974036
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SB927T-AE Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
PNP
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
2.5 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
25 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
600mV @ 75mA, 1.5A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Công suất - Tối đa
1 W
Tần số - Chuyển đổi
150MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Lớp
-
Trình độ chuyên môn
-
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gói thiết bị nhà cung cấp
3-MP
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,664
Tên khác
2156-2SB927T-AE-488
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Vendor Undefined
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
BC857C_R1_00001
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
BC857A_R1_00001
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
NSVBCH807-25LT1G
TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
