Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SC3117S
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SC3117S-DG
Mô tả:
TRANSISTOR
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 1.5 A 120MHz 1 W Through Hole TO-126
Hàng tồn kho:
6365 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12930779
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SC3117S Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
1.5 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
160 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
450mV @ 50mA, 500mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
1µA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
Công suất - Tối đa
1 W
Tần số - Chuyển đổi
120MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Lớp
-
Trình độ chuyên môn
-
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-225AA, TO-126-3
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-126
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,268
Tên khác
2156-2SC3117S
ONSONS2SC3117S
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
MBT2222ADW1T
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2N1893
TRANS NPN 80V 0.5A TO5
2SC3151M
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
