Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SC3503E
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SC3503E-DG
Mô tả:
TRANSISTOR
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 150MHz 7 W Through Hole TO-126-3
Hàng tồn kho:
55933 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12931552
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SC3503E Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
300 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
600mV @ 2mA, 20mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 10V
Công suất - Tối đa
7 W
Tần số - Chuyển đổi
150MHz
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-225AA, TO-126-3
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-126-3
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,025
Tên khác
2156-2SC3503E
ONSONS2SC3503E
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
BCX54-16E6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
BCX69-25E6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
FJPF2145TU
TRANS NPN 800V 5A TO220F-3
