Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SC3600D
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SC3600D-DG
Mô tả:
NPN SILICON TRANSISTOR
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 100 mA 400MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Hàng tồn kho:
2241 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12954178
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SC3600D Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
100 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
200 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
800mV @ 3mA, 30mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100nA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 10V
Công suất - Tối đa
1.2 W
Tần số - Chuyển đổi
400MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Lớp
-
Trình độ chuyên môn
-
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-225AA, TO-126-3
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-126
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
314
Tên khác
ONSSNY2SC3600D
2156-2SC3600D
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
Not applicable
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
2N3752
TRANS 80V 5A TO111
JANTXV2N3637
TRANS PNP 175V 1A TO39
JANKCBF2N3700
TRANS NPN 80V 1A TO18
