Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SC4256
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SC4256-DG
Mô tả:
NPN SILICON TRANSISTOR
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 1200 V 10 mA 6MHz 1.75 W Through Hole TO-220AB
Hàng tồn kho:
3959 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12933891
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SC4256 Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
10 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
1200 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
5V @ 200µA, 1mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
1µA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
10 @ 500µA, 5V
Công suất - Tối đa
1.75 W
Tần số - Chuyển đổi
6MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Lớp
-
Trình độ chuyên môn
-
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220AB
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
290
Tên khác
2156-2SC4256
ONSONS2SC4256
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
Not applicable
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
2SA1395-AZ
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
2SC4453-3-TB-E
BIP NPN 0.2A 15V
BFN39H6327
TRANS PNP 300V 0.2A SOT223