Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SD734E-AA
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SD734E-AA-DG
Mô tả:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 700 mA 250MHz 600 mW Through Hole 3-NP
Hàng tồn kho:
307500 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12946170
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SD734E-AA Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
700 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
20 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 500mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
1µA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 2V
Công suất - Tối đa
600 mW
Tần số - Chuyển đổi
250MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Lớp
-
Trình độ chuyên môn
-
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gói thiết bị nhà cung cấp
3-NP
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,025
Tên khác
ONSONS2SD734E-AA
2156-2SD734E-AA
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
BCP51
TRANS PNP 45V 1.5A SOT223-4
BUJD203A,127
NOW WEEN - BUJD203A - POWER BIPO
BC548BTA
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
