Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SD734E
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SD734E-DG
Mô tả:
2SD734 - NPN EPITAXIAL PLANAR SI
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 700 mA 250MHz 600 mW Through Hole 3-NP
Hàng tồn kho:
30260 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12967716
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
vHBi
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SD734E Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
700 mA
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
20 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 500mA
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
1µA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 2V
Công suất - Tối đa
600 mW
Tần số - Chuyển đổi
250MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Lớp
-
Trình độ chuyên môn
-
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gói thiết bị nhà cung cấp
3-NP
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,025
Tên khác
2156-2SD734E-488
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Vendor Undefined
Trạng thái REACH
REACH Affected
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FP210-TL-E
BIP PNP+PNP 2A 50V
2SD1828
2SD1828 - POWER BIPOLAR TRANSIST
BF570,215
NEXPERIA BF570 - SMALL SIGNAL BI