Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2SJ656
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2SJ656-DG
Mô tả:
MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML
Mô tả chi tiết:
P-Channel 100 V 18A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220ML
Hàng tồn kho:
12836930
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2SJ656 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
18A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
75.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
-
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
4200 pF @ 20 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2W (Ta), 30W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220ML
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack
Số sản phẩm cơ sở
2SJ656
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
100
Tên khác
869-1053
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IXTP18P10T
NHÀ SẢN XUẤT
IXYS
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
2485
DiGi SỐ PHẦN
IXTP18P10T-DG
ĐƠN GIÁ
1.06
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDMS86104
MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
2V7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
HUF75309P3
MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
