Số sản phẩm của nhà sản xuất:
BSS123LT1G
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
BSS123LT1G-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Hàng tồn kho:
217861 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12836751
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
BSS123LT1G Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
170mA (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
6Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.6V @ 1mA
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
20 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
225mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-23-3 (TO-236)
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
BSS123
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
BSS123LT1GOSCT
BSS123LT1GOSTR
BSS123LT1GOSDKR
2156-BSS123LT1G-OS
ONSONSBSS123LT1G
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FQPF6N80T
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
FCB20N60-F085
MOSFET N-CH 600V 20A TO263AB
3LP01SS-TL-E
MOSFET P-CH 30V 100MA 3SSFP