Số sản phẩm của nhà sản xuất:
BUH51G
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
BUH51G-DG
Mô tả:
TRANS NPN 500V 3A TO126
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 500 V 3 A 23MHz 50 W Through Hole TO-126
Hàng tồn kho:
12850330
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
BUH51G Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
SWITCHMODE™
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
3 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
500 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 1A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
100µA
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
8 @ 1A, 1V
Công suất - Tối đa
50 W
Tần số - Chuyển đổi
23MHz
Nhiệt độ hoạt động
-65°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-225AA, TO-126-3
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-126
Số sản phẩm cơ sở
BUH51
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
500
Tên khác
ONSONSBUH51G
2156-BUH51G-ON
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
PN2907A-AP
TRANS PNP 60V 0.6A TO92
BSR14_D87Z
TRANS NPN 40V 0.8A SOT23-3
BUH50G
TRANS NPN 500V 4A TO220