Số sản phẩm của nhà sản xuất:
EFC6601R-TR
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
EFC6601R-TR-DG
Mô tả:
MOSFET 2N-CH EFCP2718
Mô tả chi tiết:
Mosfet Array 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
Hàng tồn kho:
12838846
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
EFC6601R-TR Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Mảng
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Cấu hình
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
-
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
-
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
-
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
-
Công suất - Tối đa
2W
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
6-XFBGA, FCBGA
Gói thiết bị nhà cung cấp
EFCP2718-6CE-020
Số sản phẩm cơ sở
EFC6601
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
5,000
Tên khác
EFC6601R-TROSCT
2156-EFC6601R-TR-OS
ONSONSEFC6601R-TR
EFC6601R-TR-DG
EFC6601R-TROSDKR
EFC6601R-TROSTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDW2507N
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
ECH8660-S-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8
FDS6984AS
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
