Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FCB36N60NTM
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FCB36N60NTM-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 36A (Tc) 312W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Hàng tồn kho:
12848841
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FCB36N60NTM Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
SupreMOS™
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
36A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
90mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
4785 pF @ 100 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
312W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-263 (D2PAK)
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
FCB36N60
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
800
Tên khác
FCB36N60NTMTR
FCB36N60NTM-DG
FCB36N60NTMCT
FCB36N60NTMDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
STB40N60M2
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
775
DiGi SỐ PHẦN
STB40N60M2-DG
ĐƠN GIÁ
2.83
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
FCB125N65S3
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
800
DiGi SỐ PHẦN
FCB125N65S3-DG
ĐƠN GIÁ
2.13
Loại thay thế
MFR Recommended
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
AON7406
MOSFET N-CH 30V 9A/25A 8DFN
FDBL86566-F085
MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
FCP260N60E
MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
