Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDA032N08
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDA032N08-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN
Mô tả chi tiết:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-3PN
Hàng tồn kho:
298 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12838304
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDA032N08 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tube
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
75 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
120A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
15160 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
375W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-3PN
Gói / Trường hợp
TO-3P-3, SC-65-3
Số sản phẩm cơ sở
FDA032
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
30
Tên khác
ONSONSFDA032N08
2156-FDA032N08-OS
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FQB11P06TM
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
FQAF10N80
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
FQB34P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
