Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDA28N50F
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDA28N50F-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Mô tả chi tiết:
N-Channel 500 V 28A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Hàng tồn kho:
31 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12846674
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDA28N50F Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tube
Loạt
UniFET™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
500 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
28A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
175mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
5387 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
310W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-3PN
Gói / Trường hợp
TO-3P-3, SC-65-3
Số sản phẩm cơ sở
FDA28
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
30
Tên khác
2156-FDA28N50F-OS
ONSONSFDA28N50F
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FCH099N60E
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
AO4406
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
FDMC86324
MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
