Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDB8132_F085
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDB8132_F085-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 341W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Hàng tồn kho:
12848522
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDB8132_F085 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
80A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
350 nC @ 13 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
14100 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
341W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-263 (D2PAK)
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
FDB813
Tài liệu và Hồ sơ
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
800
Tên khác
FDB8132_F085TR
FDB8132_F085DKR
FDB8132_F085CT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
BUK761R6-40E,118
NHÀ SẢN XUẤT
Nexperia USA Inc.
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
BUK761R6-40E,118-DG
ĐƠN GIÁ
1.66
Loại thay thế
Direct
SỐ PHẦN
PSMN1R5-30BLEJ
NHÀ SẢN XUẤT
Nexperia USA Inc.
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
9771
DiGi SỐ PHẦN
PSMN1R5-30BLEJ-DG
ĐƠN GIÁ
2.01
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDP39N20
MOSFET N-CH 200V 39A TO220-3
FQE10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
FQP5N80
MOSFET N-CH 800V 4.8A TO220-3
