Trang chủ
Sản phẩm
Nhà sản xuất
Giới thiệu DiGi
Liên hệ với chúng tôi
Blog và bài viết
Yêu cầu báo giá
Vietnam
Đăng nhập
Ngôn ngữ chọn lọc
Ngôn ngữ hiện tại của bạn:
Vietnam
Chuyển đổi:
Tiếng Anh
Châu Âu
Vương quốc Anh
Pháp
Tây Ban Nha
Gà tây
Moldova
Litva
Na Uy
Đức
Bồ Đào Nha
Slovakia
ltaly
Phần Lan
Tiếng Nga
Bulgaria
Đan Mạch
Estonia
Ba Lan
Ukraina
Slovenia
Séc
Tiếng Hy Lạp
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Hà Lan
Thụy Điển
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Tiếng Hung-ga-ri
Romania
Áo
Bỉ
Ireland
Châu Á / Thái Bình Dương
Trung Quốc
Việt Nam
Indonesia
Thái Lan
Lào
Philippines
Malaysia
Hàn Quốc
Nhật Bản
Hongkong
Đài Loan
Singapore
Pakistan
Ả Rập Xê Út
Qatar
Kuwait
Campuchia
Myanmar
Châu Phi, Ấn Độ và Trung Đông
Các Tiểu vương quốc Ả Rập Thống nhất
Tajikistan
Madagascar
Ấn Độ
Iran
Cộng hòa Dân chủ Congo
Nam Phi
Ai Cập
Kenya
Tanzania
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisia
Nam Mỹ / Châu Đại Dương
New Zealand
Angola
Brasil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Úc
Bắc Mỹ
Hoa Kỳ
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Giới thiệu DiGi
Về Chúng Tôi
Về Chúng Tôi
Chứng Nhận Của Chúng Tôi
DiGi Giới thiệu
Tại sao DiGi
Chính sách
Chính sách chất lượng
Điều khoản sử dụng
Tuân thủ RoHS
Quy trình Trả hàng
Tài nguyên
Danh mục sản phẩm
Nhà sản xuất
Blog và bài viết
Dịch vụ
Bảo hành chất lượng
Cách Thanh Toán
Giao hàng toàn cầu
Giá vận chuyển
Câu hỏi thường gặp
Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDB8870
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDB8870-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 23A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Hàng tồn kho:
Yêu cầu báo giá Trực tuyến
12839355
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
*
Công ty
*
Tên Liên Hệ
*
Điện thoại
*
E-mail
Địa chỉ giao hàng
Tin nhắn
(
*
) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDB8870 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
23A (Ta), 160A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
5200 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
160W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-263 (D2PAK)
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
FDB887
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
FDB8870
Tài liệu dữ liệu
FDB8870
Bảng dữ liệu HTML
FDB8870-DG
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
800
Tên khác
2156-FDB8870-OS
FDB8870FSCT
FAIFSCFDB8870
FDB8870FSTR
FDB8870FSDKR
FDB8870-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IRL7833STRLPBF
NHÀ SẢN XUẤT
Infineon Technologies
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
3883
DiGi SỐ PHẦN
IRL7833STRLPBF-DG
ĐƠN GIÁ
0.88
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
STB80NF03L-04T4
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
691
DiGi SỐ PHẦN
STB80NF03L-04T4-DG
ĐƠN GIÁ
1.90
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
STD155N3LH6
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
2446
DiGi SỐ PHẦN
STD155N3LH6-DG
ĐƠN GIÁ
0.81
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
PSMN4R3-30BL,118
NHÀ SẢN XUẤT
Nexperia USA Inc.
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
9945
DiGi SỐ PHẦN
PSMN4R3-30BL,118-DG
ĐƠN GIÁ
0.58
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
PSMN3R4-30BL,118
NHÀ SẢN XUẤT
NXP USA Inc.
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
900
DiGi SỐ PHẦN
PSMN3R4-30BL,118-DG
ĐƠN GIÁ
0.57
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FCPF380N60E
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
FQPF9N50C
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
HUFA75344P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FDB20AN06A0
MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB