FDC637AN
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

FDC637AN

Product Overview

Nhà sản xuất:

onsemi

DiGi Electronics Số hiệu phần:

FDC637AN-DG

Mô tả:

MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Mô tả chi tiết:
N-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Hàng tồn kho:

12361 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12838835
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

FDC637AN Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
6.2A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
2.5V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1125 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1.6W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SuperSOT™-6
Gói / Trường hợp
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Số sản phẩm cơ sở
FDC637

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
FDC637AN-DG
2156-FDC637AN-OS
ONSONSFDC637AN
FDC637ANCT
FDC637ANDKR
FDC637ANTR

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
infineon-technologies

BSS214NW L6327

MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3

onsemi

FQPF46N15

MOSFET N-CH 150V 25.6A TO220F

onsemi

HUFA75307D3S

MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA

onsemi

FQD7N20LTM

MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK