Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDC655BN
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDC655BN-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 6.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Hàng tồn kho:
33200 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12847289
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDC655BN Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
6.3A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
25mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
570 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1.6W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SuperSOT™-6
Gói / Trường hợp
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Số sản phẩm cơ sở
FDC655
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
FDC655BN-DG
FDC655BNCT
FDC655BNTR
FDC655BNDKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDD18N20LZ
MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
FDR4420A
MOSFET N-CH 30V 11A SUPERSOT8
BSZ042N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
