Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDD6637
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDD6637-DG
Mô tả:
MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
Mô tả chi tiết:
P-Channel 35 V 13A (Ta), 55A (Tc) 3.1W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Hàng tồn kho:
12837515
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDD6637 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
35 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
13A (Ta), 55A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
11.6mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±25V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2370 pF @ 20 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3.1W (Ta), 57W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-252AA
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
FDD663
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
FDD6637DKR
ONSONSFDD6637
FDD6637TR
2156-FDD6637-OS
FDD6637CT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
PJD50P04_L2_00001
NHÀ SẢN XUẤT
Panjit International Inc.
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
6773
DiGi SỐ PHẦN
PJD50P04_L2_00001-DG
ĐƠN GIÁ
0.23
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDD86102
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
FQD2N90TF
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
FDD86569-F085
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
