Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDD86326
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDD86326-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 80 V 8A (Ta), 37A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Hàng tồn kho:
9960 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12838548
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDD86326 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
80 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
8A (Ta), 37A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
6V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
23mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1035 pF @ 50 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-252AA
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
FDD863
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
FDD86326DKR
FDD86326TR
FDD86326CT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FCPF190N65FL1
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F
FDMS0308CS
MOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN
FQP1P50
MOSFET P-CH 500V 1.5A TO220-3