Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDG315N
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDG315N-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 2A SC88
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Hàng tồn kho:
12850111
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDG315N Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
2A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
4 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
220 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
750mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SC-88 (SC-70-6)
Gói / Trường hợp
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Số sản phẩm cơ sở
FDG315
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
2832-FDG315NTR
FDG315NCT
FDG315N-DG
FDG315NDKR
FDG315NTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
IRF840B
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
FQD6N50CTM
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
