Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDG6301N
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDG6301N-DG
Mô tả:
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Mô tả chi tiết:
Mosfet Array 25V 220mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Hàng tồn kho:
69606 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12849485
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDG6301N Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Mảng
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Cấu hình
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
25V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
220mA
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
9.5pF @ 10V
Công suất - Tối đa
300mW
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gói thiết bị nhà cung cấp
SC-88 (SC-70-6)
Số sản phẩm cơ sở
FDG6301
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
FDG6301NCT
2832-FDG6301NTR
FDG6301NDKR
FDG6301NTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
AO4801AL
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
AO4840E
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
ECH8668-TL-H
MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A 8ECH
