Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDG6308P
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDG6308P-DG
Mô tả:
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Mô tả chi tiết:
Mosfet Array 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Hàng tồn kho:
12837688
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDG6308P Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Mảng
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Cấu hình
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
600mA
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
153pF @ 10V
Công suất - Tối đa
300mW
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gói thiết bị nhà cung cấp
SC-88 (SC-70-6)
Số sản phẩm cơ sở
FDG6308
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
FDG6308P-DG
2156-FDG6308P-OS
FDG6308PTR
ONSONSFDG6308P
FDG6308PDKR
FDG6308PCT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
NTJD4152PT1G
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
15411
DiGi SỐ PHẦN
NTJD4152PT1G-DG
ĐƠN GIÁ
0.10
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDME1034CZT
MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET
FDG8842CZ
MOSFET N/P-CH 30V 0.75A SC88
AUIRF7103Q
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
