Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDH50N50-F133
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDH50N50-F133-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 500 V 48A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247-3
Hàng tồn kho:
446 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12849503
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDH50N50-F133 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tube
Loạt
UniFET™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
500 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
48A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
105mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
137 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
6460 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
625W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-247-3
Gói / Trường hợp
TO-247-3
Số sản phẩm cơ sở
FDH50N50
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
30
Tên khác
ONSFSCFDH50N50-F133
FDH50N50_F133-DG
2156-FDH50N50-F133-OS
FDH50N50_F133
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
Not Applicable
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
AO4498EL
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
FQI13N50CTU
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
AOB2606L
MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
