Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDM3622
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDM3622-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 4.4A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Hàng tồn kho:
3580 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12847987
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDM3622 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4.4A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
6V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1090 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.1W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-MLP (3.3x3.3)
Gói / Trường hợp
8-PowerWDFN
Số sản phẩm cơ sở
FDM362
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
FDM3622DKR
FDM3622-DG
FDM3622TR
FDM3622CT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
MMBF0201NLT1G
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
FDD9409-F085
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
FDD6680
MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
