Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDMA291P
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDMA291P-DG
Mô tả:
MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Mô tả chi tiết:
P-Channel 20 V 6.6A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Hàng tồn kho:
40 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12847525
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDMA291P Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
6.6A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
1.8V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1000 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.4W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
6-MicroFET (2x2)
Gói / Trường hợp
6-WDFN Exposed Pad
Số sản phẩm cơ sở
FDMA291
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
FDMA291PDKR
FDMA291PCT
FDMA291PTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
PMPB33XP,115
NHÀ SẢN XUẤT
NXP USA Inc.
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
31498
DiGi SỐ PHẦN
PMPB33XP,115-DG
ĐƠN GIÁ
0.08
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
DMP2066UFDE-7
NHÀ SẢN XUẤT
Diodes Incorporated
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
1918
DiGi SỐ PHẦN
DMP2066UFDE-7-DG
ĐƠN GIÁ
0.11
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDS6064N3
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
FDS9412A
MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
NTD5807NT4G
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
