Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDMC4435BZ
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDMC4435BZ-DG
Mô tả:
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Mô tả chi tiết:
P-Channel 30 V 8.5A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Hàng tồn kho:
11065 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12851191
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDMC4435BZ Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
8.5A (Ta), 18A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±25V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2045 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.3W (Ta), 31W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-MLP (3.3x3.3)
Gói / Trường hợp
8-PowerWDFN
Số sản phẩm cơ sở
FDMC4435
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
FSCFDMC4435BZ
FDMC4435BZTR
FDMC4435BZDKR
FDMC4435BZCT
2156-FDMC4435BZ-OS
2832-FDMC4435BZTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDS6673BZ-F085
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
FDU8880
MOSFET N-CH 30V 13A/58A IPAK
FDZ191P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
