Số sản phẩm của nhà sản xuất:
FDMS1D2N03DSD
Product Overview
Nhà sản xuất:
onsemi
DiGi Electronics Số hiệu phần:
FDMS1D2N03DSD-DG
Mô tả:
MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN
Mô tả chi tiết:
Mosfet Array 30V 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Hàng tồn kho:
12836922
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
FDMS1D2N03DSD Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Mảng
Nhà sản xuất
onsemi
Đóng gói
-
Loạt
PowerTrench®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Cấu hình
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Tính năng FET
-
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
33nC @ 10V, 117nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
Công suất - Tối đa
2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
8-PowerWDFN
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-PQFN (5x6)
Số sản phẩm cơ sở
FDMS1
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
FDMS1D2N03DSDOSCT
FDMS1D2N03DSDOSDKR
FDMS1D2N03DSDOSTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDMS3604AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
FDS6984S
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
ECH8652-TL-H
MOSFET 2P-CH 12V 6A 8ECH
